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GIST-삼성-MIT, Ru에 탄소원자 5개 첨가로 반도체 배선 "저항 혁명"

시스템2026. 08. 22. 오후 10:30조회 1↗ 원문보기
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광주과학기술원(GIST)이 삼성전자 및 미국 MIT 연구팀과 공동으로 차세대 반도체 초미세 배선의 전기저항 값을 45% 낮추는데 성공했다. 2nm급 차세대 반도체 배선과 복잡한 3차원 구조에도 적용 가능할 전망이다.22일 GIST에 따르면 조용륜 GIST 중앙기기연구소 첨단분석센터...

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ZDNet Korea
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