[칼럼]
로옴이 600V 클래스의 고내압 GaN HEMT를 구동하는 데 최적인 'BM6GD11BFJ-LB' 절연 게이트 드라이버 IC를 개발했다고 발표했습니다. 이 제품은 새로운 기능과 핵심 기술을 활용하여 GaN 디바이스의 고주파 및 고속 스위칭을 안정적으로 구동하여 모터나 서버 전원 등 대전류 어플리케이션의 소형화와 고효율화에 기여할 것으로 기대됩니다.

지난 몇 년간, 전력 소비량이 늘어나면서 저전력 대책이 중요한 이슈로 떠올랐습니다. 신재료인 SiC와 GaN을 사용한 파워 디바이스가 이에 대한 대안으로 주목받고 있죠. 이번에 로옴이 개발한 절연 게이트 드라이버 IC는 GaN 디바이스의 고효율 및 안정성을 높여주며, 기존 기기의 성능을 한 단계 업그레이드할 수 있습니다.

이 제품은 고내압 GaN HEMT용으로, 안정적인 신호 전달과 고속 스위칭 성능을 제공합니다. 노이즈 내성이 향상되어 스위칭 시 발생하는 문제를 해결하고, 소형화와 저전력 소비에 기여합니다. 게이트 구동 전압 범위는 4.5V에서 6.0V로 다양한 고내압 GaN 디바이스에 적용할 수 있으며, 업계 최고 수준의 저소비전력 성능을 자랑합니다.

로옴은 앞으로 GaN 디바이스 구동용 게이트 드라이버 IC를 GaN 제품과 함께 제공하여 어플리케이션 설계를 보다 간편하게 할 예정입니다. 이번 새로운 제품은 이미 양산을 시작했으며 온라인 부품 유통 사이트에서 구매할 수 있습니다. 이번 개발로 산업 전반의 전력 소비 효율화 및 고효율 전력 변환에 긍정적인 영향을 미칠 것으로 기대됩니다.

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