[칼럼]
로옴이 600V 수준의 고내압 GaN HEMT를 구동하는데 필요한 절연 게이트 드라이버 IC를 개발했다는 소식이 전해졌다. 이번에 개발된 제품은 안전한 신호 전달을 위해 디바이스와 제어 회로를 분리하는 역할을 하며, 로옴이 고내압 GaN HEMT를 위해 개발한 첫 절연 게이트 드라이버 IC로서 기생 용량을 저감하고 최대 2MHz의 고주파 구동을 실현했다.

이로 인해 GaN 칩의 고속 스위칭 성능이 향상되어 애플리케이션의 저전력화와 고성능화가 가능해지며, 주변부품을 소형화하여 실장 면적도 줄일 수 있다. 노이즈 내성을 높이는 방법으로는 CMTI가 기존 제품 대비 150V/ns로 개선되었으며, 고속 스위칭에서의 오동작을 방지하여 안정적인 제어를 지원한다.

로옴의 신제품은 GaN 디바이스의 성능을 최대화시킬 뿐만 아니라, 최소 Duty비를 확보하여 손실을 최소화하는 기능을 갖추고 있다. 이를 통해 650V 내압 GaN HEMT 'GNP2070TD-Z'와 같은 고내압 GaN 디바이스를 모두 성능을 극대화할 수 있게 도와준다. 또한 저소비전력 성능을 갖춘 로옴의 신제품은 올해 3월 양산을 시작하여 저전력·고전압 디바이스 시장으로 진출할 계획이다.

로옴 관계자는 이번 신제품을 통해 GaN 디바이스 구동에 특화된 게이트 드라이버 IC 시장에 진입하고, GaN 디바이스 제품과 함께 제공하여 어플리케이션 설계를 용이하게 할 것이라고 밝혔다. 이번 신제품을 통해 로옴이 미래 전력 전자 시장에서 주목받을 수 있는 발판을 마련한 셈이다.

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